MOSFET DiodesZetex, canale N, 10 Ω, 170 mA, SOT-323, Montaggio superficiale

Codice RS:: 751-3660
Codice costruttore:: BSS123W-7-F
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 10 Ω, 170 mA, SOT-323, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 751-3660
Codice costruttore:: BSS123W-7-F
Costruttore:: DiodesZetex

N-Channel Enhancement Mode Mosfet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	170 mA
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	SOT-323
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	10 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Dissipazione di potenza massima	200 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	2.2mm
Larghezza	1.35mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1mm

MOSFET DiodesZetex, canale N, 10 Ω, 170 mA, SOT-323, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, da 100 a 950 V, Diodes Inc

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