MOSFET Infineon, canale N, 4,5 mΩ, 100 A, TDSON, Montaggio superficiale

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
752-8154
Codice costruttore:
BSC026N02KSGAUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

100 A

Tensione massima drain source

20 V

Tipo di package

TDSON

Serie

OptiMOS™ 2

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima drain source

4,5 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

1.2V

Tensione di soglia gate minima

0.7V

Dissipazione di potenza massima

2,8 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-12 V, +12 V

Materiale del transistor

Si

Larghezza

5.35mm

Lunghezza

6.35mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Numero di elementi per chip

1

Carica gate tipica @ Vgs

40 nC a 4,5 V

Altezza

1.1mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

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