MOSFET onsemi, canale N, 160 mΩ, 1,4 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
759-9150
Codice costruttore:
FDN361BN
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

1,4 A

Tensione massima drain source

30 V

Serie

PowerTrench

Tipo di package

SOT-23

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

160 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

1V

Dissipazione di potenza massima

460 mW

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Lunghezza

1.4mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Materiale del transistor

Si

Numero di elementi per chip

1

Carica gate tipica @ Vgs

1,3 nC @ 4,5 V

Larghezza

2.92mm

Altezza

0.94mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

MOSFET a canale N PowerTrench® fino a 9,9A, Fairchild Semiconductor



Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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