MOSFET onsemi, canale Tipo N 100 V, 40 mΩ Miglioramento, 7 A, 8 Pin, SOIC, Superficie FDS86141

Prezzo per 1 confezione da 2 unità*

1,43 €

(IVA esclusa)

1,744 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Ultimi pezzi su RS
  • 1588 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità
Per unità
Per confezione*
2 +0,715 €1,43 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
759-9683
Codice costruttore:
FDS86141
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

PowerTrench

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

40mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.8V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

11.8nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

5W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

5 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

4mm

Altezza

1.5mm

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N PowerTrench® fino a 9,9A, Fairchild Semiconductor


Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

Link consigliati