MOSFET STMicroelectronics, canale N, 980 mΩ, 9,2 A, TO-247, Su foro

Codice RS:: 761-0266
Codice costruttore:: STW11NK90Z
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 980 mΩ, 9,2 A, TO-247, Su foro

6 Disponibile per la consegna entro 1 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa/UK)

Prezzo per Unità

5,88 €

(IVA esclusa)

7,17 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità
1 - 9	5,88 €
10 - 99	5,01 €
100 - 499	4,00 €
500 - 999	3,55 €
1000 +	2,99 €

Codice RS:: 761-0266
Codice costruttore:: STW11NK90Z
Costruttore:: STMicroelectronics

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

MDmesh™ a canale N SuperMESH™, da 700V a 1200V, STMicroelectronics

Transistor MOSFET, STMicroelectronics

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	9,2 A
Tensione massima drain source	900 V
Serie	MDmesh, SuperMESH
Tipo di package	TO-247
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	980 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4.5V
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	200 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Carica gate tipica @ Vgs	95 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	15.75mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	5.15mm
Altezza	20.15mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

Codice RS:: 761-0266
Codice costruttore:: STW11NK90Z
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 980 mΩ, 9,2 A, TO-247, Su foro

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

MDmesh™ a canale N SuperMESH™, da 700V a 1200V, STMicroelectronics

Specifiche

MDmesh™ a canale N SuperMESH™, da 700V a 1200V, STMicroelectronics

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