MOSFET di potenza MDmesh II STMicroelectronics, canale Tipo N 500 V, 0.19 Ω Miglioramento, 17 A, 3 Pin, TO-263,

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
761-0663
Codice costruttore:
STB23NM50N
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET di potenza MDmesh II

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

17A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

500V

Tipo di package

TO-263

Serie

MDmesh

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.19Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

45nC

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±25 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.5V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

4.6mm

Larghezza

10.4 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.75mm

Standard automobilistico

No

MDmesh™ a canale N, 500 V, STMicroelectronics


Transistor MOSFET, STMicroelectronics


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