MOSFET STMicroelectronics, canale N, 220 mΩ, 17 A, TO-220FP, Su foro

Prodotto discontinuato

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	17 A
Tensione massima drain source	600 V
Tipo di package	TO-220FP
Serie	FDmesh
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	220 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5V
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	30 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-25 V, +25 V
Carica gate tipica @ Vgs	60 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	10.4mm
Materiale del transistor	Si
Larghezza	4.6mm
Altezza	16.4mm

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