MOSFET Infineon, canale N, 2,6 mΩ, 240 A, 260 A, D2PAK-7, Montaggio superficiale

Codice RS:: 784-9168
Codice costruttore:: AUIRFS3107-7P
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 2,6 mΩ, 240 A, 260 A, D2PAK-7, Montaggio superficiale

Prodotto discontinuato

Codice RS:: 784-9168
Codice costruttore:: AUIRFS3107-7P
Costruttore:: Infineon

AUIRFS3107-7P HEXFET Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Link consigliati

MOSFET Infineon, canale N, 1,9 mΩ, 240 A, 300 A, D2PAK-7,...
MOSFET Infineon, canale N, 0,0026 Ω, 240 A, D2PAK-7, Montaggio superficiale
MOSFET Infineon, canale N, 478 A, D2PAK-7, Montaggio superficiale
MOSFET Infineon, canale N, 1,95 mΩ, 240 A, D2PAK-7, Montaggio superficiale
MOSFET Infineon, canale N, 1,4 mΩ, 240 A, D2PAK-7, Montaggio superficiale
MOSFET Infineon, canale N, 14,7 mΩ, 86 A, D2PAK-7, Montaggio superficiale
MOSFET Infineon, canale N, 0,0044 Ω, 174 A, D2PAK-7, Montaggio superficiale
MOSFET Infineon, canale N, 2,2 mΩ, 300 A, D2PAK-7, Montaggio superficiale

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	240 A, 260 A
Tensione massima drain source	75 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	D2PAK-7
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	7
Resistenza massima drain source	2,6 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	370 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	10.67mm
Carica gate tipica @ Vgs	160 nC @ 10 V
Massima temperatura operativa	+175 °C
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	9.65mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	4.83mm

MOSFET Infineon, canale N, 2,6 mΩ, 240 A, 260 A, D2PAK-7, Montaggio superficiale

MOSFET di potenza a canale N per uso automobilistico, Infineon

Link consigliati