MOSFET Vishay, canale N, 2,4 Ω, 1,15 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 787-9229
Codice costruttore:: SI2328DS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 2,4 Ω, 1,15 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 787-9229
Codice costruttore:: SI2328DS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Si2328DS, N-Channel 100V (Drain-Source) MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	1,15 A
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	2,4 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	1,25 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	1.4mm
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	3.04mm
Carica gate tipica @ Vgs	1,45 nC a 10 V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.02mm

MOSFET Vishay, canale N, 2,4 Ω, 1,15 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET canale N, da 100V a 150V, Vishay Semiconductor

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