MOSFET Vishay, canale N, 2,4 Ω, 1,15 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
787-9229
Codice costruttore:
SI2328DS-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

1,15 A

Tensione massima drain source

100 V

Tipo di package

SOT-23

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

2,4 Ω

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

2V

Dissipazione di potenza massima

1,25 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Lunghezza

3.04mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Numero di elementi per chip

1

Materiale del transistor

Si

Carica gate tipica @ Vgs

1,45 nC a 10 V

Larghezza

1.4mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

1.02mm

MOSFET canale N, da 100V a 150V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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