MOSFET onsemi, canale P, 550 mΩ, 400 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 791-6299
Codice costruttore:: NTR0202PLT1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale P, 550 mΩ, 400 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 791-6299
Codice costruttore:: NTR0202PLT1G
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	400 mA
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	550 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.3V
Dissipazione di potenza massima	225 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	3.04mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	2,18 nC a 10 V
Larghezza	1.4mm
Altezza	1.01mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale P, 550 mΩ, 400 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale P, 20 V, ON Semiconductor

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