MOSFET onsemi, canale N 60 V, 107 mΩ Miglioramento, 11 A, 3 Pin, TO-252, Superficie RFD3055LESM9A

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
802-2159
Codice costruttore:
RFD3055LESM9A
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

11A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-252

Serie

RFD3055LESM

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

107mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

38W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

9.4nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-16V, +16V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.22mm

Altezza

2.39mm

Lunghezza

6.73mm

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor


I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cellulare brevettata da Fairchild. Questo processo ad alta densità è stato ideato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e garantisce prestazioni solide e affidabili nonché una commutazione rapida.

Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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