MOSFET IXYS, canale N, 300 mΩ, 20 A, TO-247, Su foro

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Codice RS:
802-4363
Codice costruttore:
IXFH20N50P3
Costruttore:
IXYS
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Marchio

IXYS

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

20 A

Tensione massima drain source

500 V

Tipo di package

TO-247

Serie

HiperFET, Polar3

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

300 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

5V

Dissipazione di potenza massima

380 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-30 V, +30 V

Materiale del transistor

Si

Larghezza

5.3mm

Numero di elementi per chip

1

Massima temperatura operativa

+150 °C

Carica gate tipica @ Vgs

36 nC a 10 V

Lunghezza

16.26mm

Altezza

21.46mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

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