MOSFET IXYS, canale Tipo N 500 V, 49 mΩ Miglioramento, 82 A, 4 Pin, SOT-227, Pannello

Prezzo per 1 unità*

37,12 €

(IVA esclusa)

45,29 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 5 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
1 +37,12 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
804-7565
Codice Distrelec:
302-53-357
Codice costruttore:
IXFN100N50Q3
Costruttore:
IXYS
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

IXYS

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

82A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

500V

Tipo di package

SOT-227

Tipo montaggio

Pannello

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

49mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

255nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.5V

Dissipazione di potenza massima Pd

960W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

38.23mm

Altezza

9.6mm

Larghezza

25.07 mm

Standard/Approvazioni

No

Distrelec Product Id

30253357

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Q3 IXYS


I MOSFET di potenza HiperFET™ della classe IXYS Q3 sono adatti sia alle applicazioni con modalità hard switching sia di risonanza, e offrono una carica di gate bassa con eccezionale robustezza. I dispositivi sono dotati di un diodo intrinseco rapido e sono disponibili in una varietà di contenitori standard industriali, inclusi i tipi isolati con valori nominali di fino a 1100 V e 70 A. Tra le applicazioni rientrano: convertitori cc-cc, caricabatterie, alimentatori di risonanza e switching, chopper cc, controllo dell'illuminazione e della temperatura.

Diodo raddrizzatore intrinseco rapido

RDS(on) e QG (carica gate) ridotti

Bassa resistenza di gate intrinseca

Contenitori conformi allo standard industriale

Contenitore a bassa induttanza

Alta densità di potenza

Transistor MOSFET, IXYS


Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS

Link consigliati