MOSFET onsemi, canale Tipo N 200 V, 180 mΩ Miglioramento, 18 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IRL640A

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Codice RS:
807-8711
Codice costruttore:
IRL640A
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

18A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Serie

IRL

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

180mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

40nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

110W

Tensione diretta Vf

1.5V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

10.67mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4.7mm

Altezza

16.3mm

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor


I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cellulare brevettata da Fairchild. Questo processo ad alta densità è stato ideato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e garantisce prestazioni solide e affidabili nonché una commutazione rapida.

Transistor MOSFET, ON Semi


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I MOSFET semi-ON forniscono un'affidabilità di progettazione superiore, dai picchi di tensione ridotti e dall'eccesso di sovratensione, alla capacità di giunzione più bassa e alla carica di recupero inverso, all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi in funzione e funzionanti più a lungo.

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