MOSFET Vishay, canale N 200 V, 180 mΩ Miglioramento, 18 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IRF640PBF

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MOSFET Infineon, canale N 200 V, 150 mΩ Miglioramento, 18 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IRF640NPBF
Codice RS
541-0014

Unità

1,92 €

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Codice RS:
541-0452
Codice costruttore:
IRF640PBF
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

18A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Tipo di package

TO-220

Serie

IRF640

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

180mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

70nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

9.01mm

Lunghezza

10.41mm

Larghezza

4.7mm

Standard automobilistico

No

MOSFET canale N, da 200V a 250V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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