MOSFET onsemi, canale P, 42 mΩ, 8,4 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 809-0893
- Codice costruttore:
- FDD4685
- Costruttore:
- onsemi
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Prezzo per 1pz in confezione da 10
1,087 €
(IVA esclusa)
1,326 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 1,087 € | 10,87 € |
| 100 - 490 | 0,86 € | 8,60 € |
| 500 - 990 | 0,73 € | 7,30 € |
| 1000 - 2490 | 0,597 € | 5,97 € |
| 2500 + | 0,587 € | 5,87 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 809-0893
- Codice costruttore:
- FDD4685
- Costruttore:
- onsemi
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
MOSFET a canale P per uso automobilistico, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor offre soluzioni in grado di risolvere le complesse sfide del mercato automobilistico grazie a una perfetta conoscenza degli standard di qualità, sicurezza e affidabilità.
Transistor MOSFET, ON Semi
Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | P |
| Corrente massima continuativa di drain | 8,4 A |
| Tensione massima drain source | 40 V |
| Tipo di package | DPAK (TO-252) |
| Serie | PowerTrench |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Numero pin | 3 |
| Resistenza massima drain source | 42 mΩ |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate minima | 1V |
| Dissipazione di potenza massima | 69 W |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Tensione massima gate source | -20 V, +20 V |
| Massima temperatura operativa | +150 °C |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Materiale del transistor | Si |
| Larghezza | 6.22mm |
| Carica gate tipica @ Vgs | 19 nC a 5 V |
| Lunghezza | 6.73mm |
| Altezza | 2.39mm |
| Minima temperatura operativa | -55 °C |
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