Codice costruttore

MOSFET onsemi, canale Tipo P 40 V, 42 mΩ Miglioramento, 8.4 A, 3 Pin, TO-252, Superficie FDD4685

Codice RS:: 809-0893
Codice costruttore:: FDD4685
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale Tipo P 40 V, 42 mΩ Miglioramento, 8.4 A, 3 Pin, TO-252, Superficie FDD4685

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Codice RS:: 809-0893
Codice costruttore:: FDD4685
Costruttore:: onsemi

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo di canale	Tipo P
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	8.4A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	40V
	Tipo di package	TO-252
	Serie	PowerTrench
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	42mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	19nC
	Tensione diretta Vf	-1.2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-20V, +20V
	Dissipazione di potenza massima Pd	69W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Larghezza	6.22mm
	Altezza	2.39mm
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	6.73mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio onsemi
	Tipo di canale Tipo P
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 8.4A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V
	Tipo di package TO-252
	Serie PowerTrench
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 42mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 19nC
	Tensione diretta Vf -1.2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V
	Dissipazione di potenza massima Pd 69W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Larghezza 6.22mm
	Altezza 2.39mm
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 6.73mm
	Standard automobilistico No

MOSFET a canale P per uso automobilistico, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor offre soluzioni in grado di risolvere le complesse sfide del mercato automobilistico grazie a una perfetta conoscenza degli standard di qualità, sicurezza e affidabilità.

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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