MOSFET Vishay, canale P, 48 mΩ, 3,9 A, TSOP-6, Montaggio superficiale

Codice RS:: 812-3173
Codice costruttore:: SI3499DV-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale P, 48 mΩ, 3,9 A, TSOP-6, Montaggio superficiale

Prodotto discontinuato

Codice RS:: 812-3173
Codice costruttore:: SI3499DV-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Si3499DV, P-Channel 1.5V (G-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	3,9 A
Tensione massima drain source	8 V
Tipo di package	TSOP-6
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	48 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	0.35V
Dissipazione di potenza massima	1,1 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-5 V, +5 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	28 nC a 4,5 V
Larghezza	1.7mm
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	3.1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1mm

MOSFET Vishay, canale P, 48 mΩ, 3,9 A, TSOP-6, Montaggio superficiale

MOSFET canale P, da 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor

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