MOSFET Vishay, canale P, 48 mΩ, 3,9 A, TSOP-6, Montaggio superficiale

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Codice RS:
170-8323
Codice costruttore:
SI3499DV-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

P

Corrente massima continuativa di drain

3,9 A

Tensione massima drain source

8 V

Tipo di package

TSOP-6

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

6

Resistenza massima drain source

48 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

0.35V

Dissipazione di potenza massima

1,1 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-5 V, +5 V

Massima temperatura operativa

+150 °C

Larghezza

1.7mm

Numero di elementi per chip

1

Carica gate tipica @ Vgs

28 nC a 4,5 V

Materiale del transistor

Si

Lunghezza

3.1mm

Altezza

1mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Paese di origine:
TW

MOSFET canale P, da 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor



Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor

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