MOSFET Vishay, canale N, 200 mΩ, 2,7 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 815-2733
Codice costruttore:: IRFL014TRPBF
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 200 mΩ, 2,7 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 815-2733
Codice costruttore:: IRFL014TRPBF
Costruttore:: Vishay

IRFL014, SiHFL014, Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	2,7 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SOT-223
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	200 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	3,1 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	6.7mm
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	11 nC a 10 V
Larghezza	3.7mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Altezza	1.8mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Vishay, canale N, 200 mΩ, 2,7 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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MOSFET canale N, da 60V a 90V, Vishay Semiconductor

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