MOSFET Nexperia, canale N, P, 3,6 Ω, 13,5 Ω, 170 mA, 330 mA, SOT-666, Montaggio superficiale

Codice RS:: 816-0563
Codice costruttore:: NX1029X,115
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale N, P, 3,6 Ω, 13,5 Ω, 170 mA, 330 mA, SOT-666, Montaggio superficiale

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Aggiunto

Prezzo per 1pz in confezione da 50

0,269 €

(IVA esclusa)

0,328 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per Pack*
50 - 100	0,269 €	13,45 €
150 - 250	0,164 €	8,20 €
300 - 550	0,159 €	7,95 €
600 - 1150	0,155 €	7,75 €
1200 +	0,152 €	7,60 €
*prezzo indicativo

Codice RS:: 816-0563
Codice costruttore:: NX1029X,115
Costruttore:: Nexperia

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

MOSFET a canale doppio N/P, Nexperia

Transistor MOSFET, NXP Semiconductors

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N, P
Corrente massima continuativa di drain	170 mA, 330 mA
Tensione massima drain source	50 V, 60 V
Tipo di package	SOT-666
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	3,6 Ω, 13,5 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.1V
Tensione di soglia gate minima	1.1V
Dissipazione di potenza massima	500 mW
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	0,26 nC a 5 V, 0,5 nC a 4,5 V
Larghezza	1.3mm
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	1.7mm
Numero di elementi per chip	2
Massima temperatura operativa	+150 °C
Altezza	0.6mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

Codice RS:: 816-0563
Codice costruttore:: NX1029X,115
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale N, P, 3,6 Ω, 13,5 Ω, 170 mA, 330 mA, SOT-666, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale doppio N/P, Nexperia

Specifiche

MOSFET a canale doppio N/P, Nexperia

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