MOSFET DiodesZetex, canale P, 8 Ω, 310 mA, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 823-1845
Codice costruttore:: ZVP2110GTA
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale P, 8 Ω, 310 mA, SOT-223, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 823-1845
Codice costruttore:: ZVP2110GTA
Costruttore:: DiodesZetex

SOT223 P-Channel Enhancement Mode Vertical Dmos Fet Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	310 mA
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	SOT-223
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	8 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.5V
Dissipazione di potenza massima	2 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	6.55mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Larghezza	3.55mm
Altezza	1.65mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET DiodesZetex, canale P, 8 Ω, 310 mA, SOT-223, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale P, da 100 V a 450 V, Diodes Inc

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