MOSFET DiodesZetex, canale N, 9,5 Ω, 310 mA, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 751-5269
Codice costruttore:: ZVN4525GTA
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 9,5 Ω, 310 mA, SOT-223, Montaggio superficiale

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Unità	Per unità	Per confezione**
10 - 40	0,738 €	7,38 €
50 - 240	0,566 €	5,66 €
250 - 490	0,445 €	4,45 €
500 +	0,425 €	4,25 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 751-5269
Codice costruttore:: ZVN4525GTA
Costruttore:: DiodesZetex

250V N-Channel Enhancement Mode Mosfet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	310 mA
Tensione massima drain source	250 V
Tipo di package	SOT-223
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	9,5 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.8V
Dissipazione di potenza massima	2 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-40 V, +40 V
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	6.7mm
Carica gate tipica @ Vgs	2,6 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Larghezza	3.7mm
Altezza	1.7mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET DiodesZetex, canale N, 9,5 Ω, 310 mA, SOT-223, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, da 100 a 950 V, Diodes Inc

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