MOSFET DiodesZetex, canale N, 9,5 Ω, 230 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 751-5265
Codice costruttore:: ZVN4525E6TA
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 9,5 Ω, 230 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 751-5265
Codice costruttore:: ZVN4525E6TA
Costruttore:: DiodesZetex

N-Channel Enhancement Mode Vertical Dmos Fet
Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	230 mA
Tensione massima drain source	250 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	9,5 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.8V
Dissipazione di potenza massima	1,1 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-40 V, +40 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	1.75mm
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	3mm
Carica gate tipica @ Vgs	2,6 nC a 10 V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.3mm

MOSFET DiodesZetex, canale N, 9,5 Ω, 230 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, da 100 a 950 V, Diodes Inc

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