MOSFET DiodesZetex, canale N, 230 mΩ, 1,9 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 121-9966
Codice costruttore:: ZXMN10B08E6TA
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 230 mΩ, 1,9 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

0,271 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,271 €	813,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 121-9966
Codice costruttore:: ZXMN10B08E6TA
Costruttore:: DiodesZetex

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	1,9 A
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	230 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3V
Dissipazione di potenza massima	1,7 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	1.8mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	3.1mm
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	5 nC a 5 V, 9,2 nC a 10 V
Altezza	1.3mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET DiodesZetex, canale N, 230 mΩ, 1,9 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, da 100 a 950 V, Diodes Inc

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