MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 100 V, 300 mΩ Miglioramento, 1.9 A, 6 Pin, SOT-23, Superficie ZXMN10A08E6TA
- Codice RS:
- 708-2633
- Codice costruttore:
- ZXMN10A08E6TA
- Costruttore:
- DiodesZetex
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- Codice RS:
- 708-2633
- Codice costruttore:
- ZXMN10A08E6TA
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 1.9A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Serie | ZXMN10A08E6 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 300mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 0.87V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.7W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 4.2nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 1.75 mm | |
| Altezza | 1.3mm | |
| Lunghezza | 3mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 1.9A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Serie ZXMN10A08E6 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 300mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 0.87V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.7W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 4.2nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 1.75 mm | ||
Altezza 1.3mm | ||
Lunghezza 3mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET a canale N, da 100 a 950 V, Diodes Inc
Transistor MOSFET, Diodes Inc.
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