MOSFET DiodesZetex, canale N, 300 mΩ, 1,9 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 922-8033
Codice costruttore:: ZXMN10A08E6TA
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 300 mΩ, 1,9 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 922-8033
Codice costruttore:: ZXMN10A08E6TA
Costruttore:: DiodesZetex

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	1,9 A
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	300 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Dissipazione di potenza massima	1,7 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	4,2 nC a 5 V
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	3mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	1.75mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.3mm

MOSFET DiodesZetex, canale N, 300 mΩ, 1,9 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, da 100 a 950 V, Diodes Inc

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