MOSFET Infineon, canale N, 4,4 mΩ, 100 A, TO-220, Su foro

Codice RS:: 823-5627
Codice costruttore:: IPP029N06NAKSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 4,4 mΩ, 100 A, TO-220, Su foro

Prodotto discontinuato

Codice RS:: 823-5627
Codice costruttore:: IPP029N06NAKSA1
Costruttore:: Infineon

IPP029N06N OptiMOS™ Power-Transistor Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

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Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	100 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	TO-220
Serie	OptiMOS™ 5
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	4,4 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.3V
Tensione di soglia gate minima	2.1V
Dissipazione di potenza massima	136 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	56 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	4.57mm
Lunghezza	10.36mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Altezza	15.95mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale N, 4,4 mΩ, 100 A, TO-220, Su foro

MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™5

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