MOSFET Infineon, canale N, 3,4 mΩ, 100 A, TO-220, Su foro

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Codice RS:
857-6833
Codice costruttore:
IPP034NE7N3GXKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

100 A

Tensione massima drain source

75 V

Tipo di package

TO-220

Serie

OptiMOS 3

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

3,4 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

3.8V

Tensione di soglia gate minima

2.3V

Dissipazione di potenza massima

214 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Lunghezza

10.36mm

Massima temperatura operativa

+175 °C

Numero di elementi per chip

1

Carica gate tipica @ Vgs

88 nC a 10 V

Larghezza

4.57mm

Materiale del transistor

Si

Altezza

15.95mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

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