MOSFET Infineon, canale N, 6,5 mΩ, 70 A, TO-220, Su foro
- Codice RS:
- 857-6952
- Codice costruttore:
- IPP70N04S406AKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 tubo da 500 unità*
416,50 €
(IVA esclusa)
508,00 €
(IVA inclusa)
Informazioni sulle scorte attualmente non disponibili
Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 500 - 2000 | 0,833 € | 416,50 € |
| 2500 - 4500 | 0,621 € | 310,50 € |
| 5000 + | 0,605 € | 302,50 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 857-6952
- Codice costruttore:
- IPP70N04S406AKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Corrente massima continuativa di drain | 70 A | |
| Tensione massima drain source | 40 V | |
| Serie | OptiMOS T2 | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo di montaggio | Su foro | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima drain source | 6,5 mΩ | |
| Modalità del canale | Enhancement | |
| Tensione di soglia gate massima | 4V | |
| Tensione di soglia gate minima | 2V | |
| Dissipazione di potenza massima | 58 W | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima gate source | -20 V, +20 V | |
| Lunghezza | 10mm | |
| Numero di elementi per chip | 1 | |
| Massima temperatura operativa | +175 °C | |
| Carica gate tipica @ Vgs | 24,5 nC a 10 V | |
| Larghezza | 4.4mm | |
| Materiale del transistor | Si | |
| Altezza | 15.65mm | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Corrente massima continuativa di drain 70 A | ||
Tensione massima drain source 40 V | ||
Serie OptiMOS T2 | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo di montaggio Su foro | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima drain source 6,5 mΩ | ||
Modalità del canale Enhancement | ||
Tensione di soglia gate massima 4V | ||
Tensione di soglia gate minima 2V | ||
Dissipazione di potenza massima 58 W | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima gate source -20 V, +20 V | ||
Lunghezza 10mm | ||
Numero di elementi per chip 1 | ||
Massima temperatura operativa +175 °C | ||
Carica gate tipica @ Vgs 24,5 nC a 10 V | ||
Larghezza 4.4mm | ||
Materiale del transistor Si | ||
Altezza 15.65mm | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
Esente
MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™ T2
OptiMOS ™ -T2 è una nuova una gamma di transistor MOSFET ad alta efficienza energetica con riduzione di CO2 e azionamenti elettrici. La nuova famiglia di prodotti OptiMOS™ -T2 amplia le famiglie già esistenti OptiMOS™ -T e OptiMOS™.
I prodotti OptiMOS™ sono disponibili in pacchetti ad alte prestazioni per lavorare con la maggior parte delle applicazioni difficili poiché forniscono flessibilità in spazi ristretti. Questi prodotti Infineon sono ideati per soddisfare e superare i requisiti di rendimento energetico e di densità di potenza degli altissimi standard di regolazione della prossima generazione nelle applicazioni informatiche.
I prodotti OptiMOS™ sono disponibili in pacchetti ad alte prestazioni per lavorare con la maggior parte delle applicazioni difficili poiché forniscono flessibilità in spazi ristretti. Questi prodotti Infineon sono ideati per soddisfare e superare i requisiti di rendimento energetico e di densità di potenza degli altissimi standard di regolazione della prossima generazione nelle applicazioni informatiche.
Canale N - modalità potenziata
Qualifica AEC
MSL1 con riflusso di picco fino a 260 °C
Temperatura d'esercizio: 175 °C
Prodotto non inquinante (conformità RoHS)
Qualifica AEC
MSL1 con riflusso di picco fino a 260 °C
Temperatura d'esercizio: 175 °C
Prodotto non inquinante (conformità RoHS)
Transistor MOSFET, Infineon
Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.