MOSFET Infineon, canale N, 4,8 mΩ, 70 A, TO-220, Su foro

Codice RS:: 892-2346
Codice costruttore:: IPP048N04NGXKSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 4,8 mΩ, 70 A, TO-220, Su foro

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Codice RS:: 892-2346
Codice costruttore:: IPP048N04NGXKSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon OptiMOS™ serie 3, corrente di scarico continua massima di 70 A, dissipazione di potenza massima di 79 W - IPP048N04NGXKSA1

Questo MOSFET è destinato ad applicazioni di potenza ad alta efficienza e funge da componente essenziale in vari sistemi elettronici. Garantisce prestazioni costanti in ambienti difficili grazie alla bassa resistenza di accensione e alla notevole capacità di dissipazione di potenza.

Caratteristiche e vantaggi

• Supporta una corrente di drenaggio continua fino a 70A
• Tensione massima drain-source di 40 V per un'ampia applicabilità
• Il design a modalità di potenziamento singola migliora l'efficienza operativa
• La bassa resistenza massima di drain-source, pari a 4,8 mΩ, riduce al minimo la generazione di calore
• La capacità di dissipazione di potenza di 79 W ottimizza la gestione termica
• Accoglie sbalzi di tensione del gate da -20V a +20V per una maggiore versatilità di pilotaggio del gate

Applicazioni

• Circuiti di alimentazione nei sistemi di automazione
• Controllo dei motori in ambienti industriali
• Convertitori di potenza per una gestione efficiente dell'energia
• Sistemi di energia rinnovabile per una gestione efficace della potenza
• Interruttore ad alta corrente in elettronica

Qual è l'intervallo di temperatura di esercizio di questo componente?

L'intervallo di temperatura operativa va da -55 °C a +175 °C, garantendo un funzionamento efficace in diverse condizioni.

Può essere utilizzato in configurazioni parallele?

Sì, l'utilizzo in parallelo è possibile per migliorare la gestione della corrente, a condizione che sia presente un'adeguata gestione termica.

Quali sono i livelli di azionamento del gate consigliati per ottenere prestazioni ottimali?

Per ottenere prestazioni ottimali, si consiglia di pilotare il gate tra 10V e 20V, rispettando i limiti di soglia massima del gate.

Come si può gestire la dissipazione del calore nelle applicazioni che utilizzano questo dispositivo?

L'utilizzo di un dissipatore di calore appropriato e una corretta disposizione del circuito stampato possono gestire efficacemente la dissipazione del calore.

Questo dispositivo è compatibile con gli attuali gate driver?

Sì, è stato progettato per funzionare perfettamente con i driver per cancelli standard disponibili sul mercato, consentendo una facile integrazione nei sistemi esistenti.

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	70 A
Tensione massima drain source	40 V
Serie	OptiMOS™ 3
Tipo di package	TO-220
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	4,8 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	79 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	10.36mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	31 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	4.572mm
Altezza	15.95mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	0.89V