MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 4.8 mΩ Miglioramento, 70 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IPP048N04NGXKSA1
- Codice RS:
- 165-8112
- Codice costruttore:
- IPP048N04NGXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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| 100 - 200 | 1,001 € | 50,05 € |
| 250 - 450 | 0,939 € | 46,95 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 165-8112
- Codice costruttore:
- IPP048N04NGXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 70A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 4.8mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 0.89V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 79W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 31nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 15.95mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 4.572 mm | |
| Lunghezza | 10.36mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 70A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4.8mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 0.89V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 79W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 31nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 15.95mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 4.572 mm | ||
Lunghezza 10.36mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET Infineon OptiMOS™ serie 3, corrente di scarico continua massima di 70 A, dissipazione di potenza massima di 79 W - IPP048N04NGXKSA1
Questo MOSFET è destinato ad applicazioni di potenza ad alta efficienza e funge da componente essenziale in vari sistemi elettronici. Garantisce prestazioni costanti in ambienti difficili grazie alla bassa resistenza di accensione e alla notevole capacità di dissipazione di potenza.
Caratteristiche e vantaggi
• Supporta una corrente di drenaggio continua fino a 70A
• Tensione massima drain-source di 40 V per un'ampia applicabilità
• Il design a modalità di potenziamento singola migliora l'efficienza operativa
• La bassa resistenza massima di drain-source, pari a 4,8 mΩ, riduce al minimo la generazione di calore
• La capacità di dissipazione di potenza di 79 W ottimizza la gestione termica
• Accoglie sbalzi di tensione del gate da -20V a +20V per una maggiore versatilità di pilotaggio del gate
Applicazioni
• Circuiti di alimentazione nei sistemi di automazione
• Controllo dei motori in ambienti industriali
• Convertitori di potenza per una gestione efficiente dell'energia
• Sistemi di energia rinnovabile per una gestione efficace della potenza
• Interruttore ad alta corrente in elettronica
Qual è l'intervallo di temperatura di esercizio di questo componente?
L'intervallo di temperatura operativa va da -55 °C a +175 °C, garantendo un funzionamento efficace in diverse condizioni.
Può essere utilizzato in configurazioni parallele?
Sì, l'utilizzo in parallelo è possibile per migliorare la gestione della corrente, a condizione che sia presente un'adeguata gestione termica.
Quali sono i livelli di azionamento del gate consigliati per ottenere prestazioni ottimali?
Per ottenere prestazioni ottimali, si consiglia di pilotare il gate tra 10V e 20V, rispettando i limiti di soglia massima del gate.
Come si può gestire la dissipazione del calore nelle applicazioni che utilizzano questo dispositivo?
L'utilizzo di un dissipatore di calore appropriato e una corretta disposizione del circuito stampato possono gestire efficacemente la dissipazione del calore.
MOSFET di potenza OptiMOS™3 Infineon, fino a 40 V
I prodotti OptiMOS™ sono disponibili in pacchetti ad alte prestazioni per lavorare con la maggior parte delle applicazioni difficili poiché forniscono flessibilità in spazi ristretti. Questi prodotti Infineon sono ideati per soddisfare e superare i requisiti di rendimento energetico e di densità di potenza degli altissimi standard di regolazione della prossima generazione nelle applicazioni informatiche.
MOSFET a commutazione rapida per alimentatori switching
Tecnologia ottimizzata per i convertitori CC/CC
Certificato in conformità alla norma JEDEC1) per le applicazioni di destinazione
Canale N, livello logico
Prodotto con un'eccellente carica di gate R DS(on) (FOM)
Resistenza R DS(on) molto bassa
Placcatura senza piombo
Transistor MOSFET, Infineon
Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.