MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 6 mΩ Miglioramento, 70 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IPP042N03LGXKSA1
- Codice RS:
- 145-8904
- Codice costruttore:
- IPP042N03LGXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 tubo da 50 unità*
56,45 €
(IVA esclusa)
68,85 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 900 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,129 € | 56,45 € |
| 100 - 200 | 1,061 € | 53,05 € |
| 250 + | 1,016 € | 50,80 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 145-8904
- Codice costruttore:
- IPP042N03LGXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 70A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 6mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 18nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.1V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 79W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 10.36mm | |
| Altezza | 15.95mm | |
| Larghezza | 4.57 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 70A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 6mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 18nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.1V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 79W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 10.36mm | ||
Altezza 15.95mm | ||
Larghezza 4.57 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET di potenza OptiMOS™3 Infineon, fino a 40 V
I prodotti OptiMOS™ sono disponibili in pacchetti ad alte prestazioni per lavorare con la maggior parte delle applicazioni difficili poiché forniscono flessibilità in spazi ristretti. Questi prodotti Infineon sono ideati per soddisfare e superare i requisiti di rendimento energetico e di densità di potenza degli altissimi standard di regolazione della prossima generazione nelle applicazioni informatiche.
MOSFET a commutazione rapida per alimentatori switching
Tecnologia ottimizzata per i convertitori CC/CC
Certificato in conformità alla norma JEDEC1) per le applicazioni di destinazione
Canale N, livello logico
Prodotto con un'eccellente carica di gate R DS(on) (FOM)
Resistenza R DS(on) molto bassa
Placcatura senza piombo
Transistor MOSFET, Infineon
Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.