MOSFET Infineon, canale N 650 V, 70 mΩ Miglioramento, 31 A, 3 Pin, TO-220, Superficie IPP60R070CFD7XKSA1
- Codice RS:
- 222-4698
- Codice costruttore:
- IPP60R070CFD7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 confezione da 2 unità*
13,36 €
(IVA esclusa)
16,30 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 338 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 6,68 € | 13,36 € |
| 10 - 18 | 5,81 € | 11,62 € |
| 20 - 48 | 5,48 € | 10,96 € |
| 50 - 98 | 5,08 € | 10,16 € |
| 100 + | 4,685 € | 9,37 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 222-4698
- Codice costruttore:
- IPP60R070CFD7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 31A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 70mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 67nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 156W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 10.36mm | |
| Larghezza | 15.95mm | |
| Altezza | 4.57mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 31A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie CoolMOS | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 70mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 67nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 156W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 10.36mm | ||
Larghezza 15.95mm | ||
Altezza 4.57mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
I MOSFET Infineon, noti anche come transistor MOSFET, sono l'acronimo di 'Metal Oxide Semiconductor Field-Effect transistor'. I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “Effetto campo” vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico.
Placcatura senza piombo; Conformità RoHS
Eccellente resistenza termica testata al 100% con effetto valanga
Senza alogeni in conformità a IEC61249-2-23
Link consigliati
- MOSFET Infineon 70 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 210 mΩ Miglioramento TO-252, Superficie
- MOSFET Infineon 210 mΩ Miglioramento TO-252, Superficie IPD60R280PFD7SAUMA1
- MOSFET Infineon 280 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 99 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 280 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie IPA60R280CFD7XKSA1
- MOSFET Infineon 99 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie IPB60R099P7ATMA1
- MOSFET Infineon 70 mΩ Miglioramento 5 Pin Superficie