MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 6.3 mΩ Miglioramento, 100 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IPP037N08N3GXKSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
914-0182
Codice Distrelec:
304-37-846
Codice costruttore:
IPP037N08N3GXKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

OptiMOS 3

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

88nC

Dissipazione di potenza massima Pd

214W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.36mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

15.95mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza OptiMOS™3 Infineon, da 60 a 80 V


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MOSFET a commutazione rapida per alimentatori switching

Tecnologia ottimizzata per i convertitori CC/CC

Certificato in conformità alla norma JEDEC1) per le applicazioni di destinazione

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Prodotto con un'eccellente carica di gate R DS(on) (FOM)

Resistenza R DS(on) molto bassa

Placcatura senza piombo

Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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