MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 5.7 mΩ Miglioramento, 40 A, 8 Pin, TSDSON, Superficie BSZ0904NSIATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
825-9089
Codice costruttore:
BSZ0904NSIATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

40A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

TSDSON

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.56V

Dissipazione di potenza massima Pd

37W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8.5nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

3.4 mm

Lunghezza

3.4mm

Altezza

1.1mm

Standard automobilistico

No

Non applicabile

Famiglia di MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™


I prodotti OptiMOS™ sono disponibili in pacchetti ad alte prestazioni per lavorare con la maggior parte delle applicazioni difficili poiché forniscono flessibilità in spazi ristretti. Questi prodotti Infineon sono ideati per soddisfare e superare i requisiti di rendimento energetico e di densità di potenza degli altissimi standard di regolazione della prossima generazione nelle applicazioni informatiche.

Canale N - modalità potenziata

Qualifica per uso automobilistico AEC Q101

MSL1 con riflusso di picco fino a 260 °C

Temperatura d'esercizio: 175 °C

Contenitore verde (senza piombo)

Rds(on) ultra bassa

Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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