MOSFET Infineon, canale N, 10,9 mΩ, 45 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

45 A

Tensione massima drain source

40 V

Serie

OptiMOS T2

Tipo di package

D2PAK (TO-263)

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

10,9 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

2V

Tensione di soglia gate minima

1.2V

Dissipazione di potenza massima

45 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-16 V, +20 V

Materiale del transistor

Si

Carica gate tipica @ Vgs

23 nC a 10 V

Larghezza

9.25mm

Numero di elementi per chip

1

Lunghezza

10mm

Massima temperatura operativa

+175 °C

Altezza

4.4mm

Minima temperatura operativa

-55 °C