Codice costruttore

MOSFET Infineon, canale Tipo N 250 V, 48 mΩ, 45 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

Codice RS:: 217-2633
Codice costruttore:: IRFS4229TRLPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 250 V, 48 mΩ, 45 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 800 unità*

1226,40 €

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Codice RS:: 217-2633
Codice costruttore:: IRFS4229TRLPBF
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	45A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	250V
	Tipo di package	TO-263
	Serie	HEXFET
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	48mΩ
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	110nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	330W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Larghezza	4.83mm
	Standard/Approvazioni	EIA 418
	Altezza	9.65mm
	Lunghezza	10.67mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 45A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 250V
	Tipo di package TO-263
	Serie HEXFET
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 48mΩ
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 110nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 330W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Larghezza 4.83mm
	Standard/Approvazioni EIA 418
	Altezza 9.65mm
	Lunghezza 10.67mm
	Standard automobilistico No

Datasheet - IRFS4229TRLPBF

Il MOSFET di potenza Infineon HEXFET® è progettato appositamente per ; Applicazioni di commutazione Pass e recupero di energia nei pannelli con display al plasma. Questo MOSFET utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una bassa resistenza all'accensione per area di silicio e una bassa tensione nominale degli impulsi E.

Avanzata tecnologia di processo

Parametri chiave ottimizzati per applicazioni PDP Sustain, Energy Recovery e Pass Switch

Basso valore nominale EPULSE per ridurre la dissipazione di potenza nelle applicazioni PDP Sustain, Energy Recovery e Pass Switch

QG basso per una risposta rapida

Elevata capacità di corrente di Peak ripetitiva per un funzionamento affidabile

Tempi di discesa e salita brevi per la commutazione rapida

Temperatura di giunzione d'esercizio 175 °C per una maggiore robustezza

Capacità a effetto valanga ripetitivo per robustezza e affidabilità

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