MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 9 mΩ, 140 A, TO-263, Superficie IRL3803STRLPBF
- Codice RS:
- 217-2638
- Codice costruttore:
- IRL3803STRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 1,732 € | 17,32 € |
| 50 - 90 | 1,646 € | 16,46 € |
| 100 - 240 | 1,577 € | 15,77 € |
| 250 - 490 | 1,508 € | 15,08 € |
| 500 + | 1,404 € | 14,04 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 217-2638
- Codice costruttore:
- IRL3803STRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 140A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 9mΩ | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 140nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 200W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 4.83 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Altezza | 15.88mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 140A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 9mΩ | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 140nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 200W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 4.83 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Altezza 15.88mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET IR a canale N singolo Infineon 30V in contenitore D2-Pak.
Struttura di celle planari per un'ampia gamma ottimizzata per la massima disponibilità da partner di distribuzione
Qualifica del prodotto in conformità allo standard JEDEC
Silicio ottimizzato per le applicazioni con commutazione al di sotto
Contenitore di potenza a montaggio superficiale standard industriale
Contenitore con capacità di trasporto di corrente elevata (fino a 195 A, in base alle dimensioni dello stampo)
In grado di essere saldato a onda
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