MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 9 mΩ Miglioramento, 97 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
145-8932
Codice costruttore:
IRFS4410ZTRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

97A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

83nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

230W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

4.83mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

11.3 mm

Lunghezza

10.67mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET di potenza a canale N da 100V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon


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