MOSFET Infineon, canale N, 9 mΩ, 97 A, TO-220AB, Su foro

Codice RS:: 145-9198
Codice costruttore:: IRFB4410ZPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 9 mΩ, 97 A, TO-220AB, Su foro

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Prezzo per Cadauno (in una stecca da 50)**

1,028 €

(IVA esclusa)

1,254 €

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Unità	Per unità	Per stecca**
50 - 50	1,028 €	51,40 €
100 - 200	0,832 €	41,60 €
250 - 450	0,781 €	39,05 €
500 - 950	0,74 €	37,00 €
1000 +	0,709 €	35,45 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 145-9198
Codice costruttore:: IRFB4410ZPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET N-ch HEXFET 100V 97A TO220AB
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	97 A
Tensione massima drain source	100 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	TO-220AB
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	9 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	230 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+175 °C
Carica gate tipica @ Vgs	83 nC a 10 V
Lunghezza	10.66mm
Larghezza	4.82mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	9.02mm

MOSFET Infineon, canale N, 9 mΩ, 97 A, TO-220AB, Su foro

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