MOSFET Infineon, canale N 100 V, 9 mΩ Miglioramento, 97 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante
- Codice RS:
- 145-9198
- Codice costruttore:
- IRFB4410ZPBF
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 145-9198
- Codice costruttore:
- IRFB4410ZPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 97A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 9mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 83nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -20V, +20V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 230W | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 4.82mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 9.02mm | |
| Lunghezza | 10.66mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 97A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 9mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 83nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 230W | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 4.82mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 9.02mm | ||
Lunghezza 10.66mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, tensione massima della sorgente di drenaggio di 100 V, corrente di drenaggio continua massima di 97 A - IRFB4410ZPBF
Questo MOSFET è un transistor di commutazione ad alta potenza progettato per il montaggio a foro passante in assemblaggi di elettronica di potenza. Funziona come un dispositivo di potenziamento a canale N in grado di gestire una notevole corrente di drenaggio continua e un'elevata tensione di drenaggio-sorgente in un'ampia gamma ambientale, il che lo rende adatto per ambienti termici impegnativi e disposizioni di dissipazione di calore convenzionali.
Caratteristiche e vantaggi:
• La tensione drain-source di 100 V consente la commutazione ad alta tensione
• La corrente continua di 97 A supporta applicazioni con carichi pesanti
• Rds(on) di 9 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione durante il funzionamento
• La dissipazione di potenza di 230 W consente un uso prolungato ad alta potenza
• La carica gate tipica di 83 nC fornisce energia di commutazione prevedibile
• La tolleranza del gate di 20 V consente margini di azionamento gate robusti
• La corrente continua di 97 A supporta applicazioni con carichi pesanti
• Rds(on) di 9 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione durante il funzionamento
• La dissipazione di potenza di 230 W consente un uso prolungato ad alta potenza
• La carica gate tipica di 83 nC fornisce energia di commutazione prevedibile
• La tolleranza del gate di 20 V consente margini di azionamento gate robusti
Applicazioni
• Adatto per gli stadi degli inverter con azionamento a motore industriale
• Ideale per convertitori e alimentatori CC-CC ad alta corrente
• Utilizzato per la commutazione dell'alimentazione nelle telecomunicazioni e nei server
• Può essere utilizzato per la gestione delle batterie e i sistemi di ricarica
• Adatto per la prototipazione di elettronica di potenza da laboratorio
• Ideale per convertitori e alimentatori CC-CC ad alta corrente
• Utilizzato per la commutazione dell'alimentazione nelle telecomunicazioni e nei server
• Può essere utilizzato per la gestione delle batterie e i sistemi di ricarica
• Adatto per la prototipazione di elettronica di potenza da laboratorio
Quale tipo di contenitore è fornito per il montaggio e il raffreddamento?
È fornito in un contenitore a foro passante TO-220 che facilita il montaggio sicuro su circuito stampato e il fissaggio diretto a un dissipatore per la gestione termica.
Quali considerazioni sull'azionamento del gate devo prendere per le prestazioni di commutazione?
Aspettarsi una carica di gate totale tipica di 83 nC a tensione di gate standard
progettare i driver gate per generare e assorbire una corrente sufficiente a soddisfare le velocità di commutazione target, gestendo al contempo le perdite di commutazione.
In che modo l'intervallo di temperatura di giunzione influisce sull'implementazione?
Il dispositivo è classificato per funzionare da -55 °C fino a 175 °C, consentendo l'uso in applicazioni con ampie escursioni di temperatura ambiente e di giunzione a condizione che venga applicato un design termico adeguato.
Qual è la tensione diretta nella conduzione e le sue implicazioni?
La tensione di conduzione diretta è di 1,3 V in condizioni specifiche, il che contribuisce al calcolo della perdita di conduzione complessiva quando si dimensionano i bilanci termici e di potenza.
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