MOSFET DiodesZetex, canale P, 200 mΩ, 3,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 827-0522
Codice costruttore:: DMG2305UX-13
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale P, 200 mΩ, 3,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 827-0522
Codice costruttore:: DMG2305UX-13
Costruttore:: DiodesZetex

DMG2305UX P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	3,3 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	200 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	0.9V
Dissipazione di potenza massima	1,4 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Carica gate tipica @ Vgs	10,2 nC a 4,5 V
Lunghezza	3mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	1.4mm
Materiale del transistor	Si
Altezza	1.1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET DiodesZetex, canale P, 200 mΩ, 3,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale P, da 12 V a 25 V, Diodes Inc

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