MOSFET Texas Instruments, canale N, 10,8 mΩ, 100 A, VSONP, Montaggio superficiale

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
827-4909
Codice costruttore:
CSD18563Q5A
Costruttore:
Texas Instruments
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Marchio

Texas Instruments

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

100 A

Tensione massima drain source

60 V

Tipo di package

VSONP

Serie

NexFET

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima drain source

10,8 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

2.4V

Tensione di soglia gate minima

1.7V

Dissipazione di potenza massima

3,2 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Larghezza

5mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Carica gate tipica @ Vgs

15 nC a 10 V

Numero di elementi per chip

1

Materiale del transistor

Si

Lunghezza

5.8mm

Altezza

1.1mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

MOSFET di potenza NexFET™ canale N, Texas Instruments



Transistor MOSFET, Texas Instruments

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