MOSFET Texas Instruments, canale Tipo N 100 V, 7.8 mΩ Miglioramento, 110 A, 8 Pin, VSON, Superficie CSD19531Q5AT

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
823-9259
Codice costruttore:
CSD19531Q5AT
Costruttore:
Texas Instruments
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Marchio

Texas Instruments

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

110A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

NexFET

Tipo di package

VSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

7.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

37nC

Tensione diretta Vf

0.8V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.1mm

Larghezza

5 mm

Lunghezza

6.1mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

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