MOSFET Texas Instruments, canale Tipo N 80 V, 4.8 mΩ Miglioramento, 157 A, 8 Pin, VSON, Superficie CSD19502Q5BT

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
133-0154
Codice costruttore:
CSD19502Q5BT
Costruttore:
Texas Instruments
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Marchio

Texas Instruments

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

157A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

NexFET

Tipo di package

VSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.8V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

130nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

195W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.1mm

Altezza

1.05mm

Larghezza

5.1 mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza NexFET™ canale N, Texas Instruments


Transistor MOSFET, Texas Instruments


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