MOSFET Texas Instruments, canale Tipo N 100 V, 7.8 mΩ Miglioramento, 110 A, 8 Pin, VSON, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 250 unità*

283,00 €

(IVA esclusa)

345,25 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Ultimi pezzi su RS
  • 1000 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità
Per unità
Per bobina*
250 +1,132 €283,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
162-8145
Codice costruttore:
CSD19531Q5AT
Costruttore:
Texas Instruments
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Texas Instruments

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

110A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

VSON

Serie

NexFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

7.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

37nC

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.8V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.1mm

Altezza

1.1mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.