MOSFET Texas Instruments, canale Tipo P 20 V, 150 mΩ Miglioramento, 104 A, 8 Pin, VSON, Superficie CSD25404Q3T
- Codice RS:
- 133-0156
- Codice costruttore:
- CSD25404Q3T
- Costruttore:
- Texas Instruments
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- Codice RS:
- 133-0156
- Codice costruttore:
- CSD25404Q3T
- Costruttore:
- Texas Instruments
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Texas Instruments | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 104A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 20V | |
| Tipo di package | VSON | |
| Serie | NexFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 150mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 12 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 96W | |
| Tensione diretta Vf | -1V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 10.8nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 3.4mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 3.4 mm | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Texas Instruments | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 104A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V | ||
Tipo di package VSON | ||
Serie NexFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 150mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 12 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 96W | ||
Tensione diretta Vf -1V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 10.8nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 3.4mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 3.4 mm | ||
Altezza 1.1mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza NexFET™ canale P, Texas Instruments
Transistor MOSFET, Texas Instruments
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