MOSFET Toshiba, canale N, 13,8 mΩ, 60 A, TO-220, Su foro
- Codice RS:
- 827-6191
- Codice costruttore:
- TK32E12N1,S1X(S
- Costruttore:
- Toshiba
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Aggiunto
Prezzo per 1pz in confezione da 5
1,136 €
(IVA esclusa)
1,386 €
(IVA inclusa)
| Unità | Per unità | Per Pack* |
| 5 - 45 | 1,136 € | 5,68 € |
| 50 - 95 | 1,024 € | 5,12 € |
| 100 - 245 | 0,974 € | 4,87 € |
| 250 - 495 | 0,864 € | 4,32 € |
| 500 + | 0,808 € | 4,04 € |
| *prezzo indicativo | ||
- Codice RS:
- 827-6191
- Codice costruttore:
- TK32E12N1,S1X(S
- Costruttore:
- Toshiba
Documentazione Tecnica
Normative
- Paese di origine:
- CN
Dettagli prodotto
MOSFET a canale N, serie TK3x, Toshiba
Transistor MOSFET, Toshiba
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 60 A |
| Tensione massima drain source | 120 V |
| Tipo di package | TO-220 |
| Serie | TK |
| Tipo di montaggio | Su foro |
| Numero pin | 3 |
| Resistenza massima drain source | 13,8 mΩ |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate massima | 4V |
| Dissipazione di potenza massima | 98 W |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Tensione massima gate source | -20 V, +20 V |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Lunghezza | 10.16mm |
| Materiale del transistor | Si |
| Carica gate tipica @ Vgs | 34 nC a 10 V |
| Larghezza | 4.45mm |
| Massima temperatura operativa | +150 °C |
| Altezza | 15.1mm |
- Codice RS:
- 827-6191
- Codice costruttore:
- TK32E12N1,S1X(S
- Costruttore:
- Toshiba