MOSFET Toshiba, canale N 120 V, 13.8 mΩ Miglioramento, 60 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

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Codice RS:
827-6191
Codice costruttore:
TK32E12N1,S1X(S
Costruttore:
Toshiba
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Marchio

Toshiba

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

60A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

120V

Serie

TK

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

13.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

-1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

34nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

98W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

4.45mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.16mm

Altezza

15.1mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET a canale N, serie TK3x, Toshiba


Transistor MOSFET, Toshiba


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