MOSFET Toshiba, canale N, 8,2 mΩ, 90 A, TO-220, Su foro

Name: MOSFET Toshiba, canale N, 8,2 mΩ, 90 A, TO-220, Su foro
Brand: Toshiba
SKU: 827-6220
Price: 1.63 EUR
Availability: InStock

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Prezzo stimato (5 Unità)

6,66 €

(IVA esclusa)

8,13 €

(IVA inclusa)

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Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	90 A
Tensione massima drain source	100 V
Serie	TK
Tipo di package	TO-220
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	8,2 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Dissipazione di potenza massima	126 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	4.45mm
Lunghezza	10.16mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	49 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	1
Altezza	15.1mm

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	90 A
Tensione massima drain source	100 V
Serie	TK
Tipo di package	TO-220
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	8,2 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Dissipazione di potenza massima	126 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	4.45mm
Lunghezza	10.16mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	49 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	1
Altezza	15.1mm