- Codice RS:
- 829-3358
- Codice costruttore:
- DN3545N3-G
- Costruttore:
- Microchip
650 Disponibile per la consegna entro 1 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa/UK)
Aggiunto
Prezzo per 1pz in confezione da 10
0,835 €
(IVA esclusa)
1,019 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per Pack* |
10 - 20 | 0,835 € | 8,35 € |
30 - 90 | 0,789 € | 7,89 € |
100 + | 0,718 € | 7,18 € |
*prezzo indicativo |
- Codice RS:
- 829-3358
- Codice costruttore:
- DN3545N3-G
- Costruttore:
- Microchip
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Transistor MOSFET con modalità di esaurimento a canale N Supertex
La gamma di transistor DMOS FET con modalità di esaurimento a canale N Supertex di Microchip è ideale per le applicazioni che richiedono un'elevata tensione di scarica distruttiva, alta impedenza di ingresso, bassa capacità di ingresso e rapida velocità di commutazione.
Caratteristiche
Elevata impedenza di ingresso
Bassa capacità d'ingresso
Velocità elevata di commutazione
Bassa resistenza all'accensione
Privi di scarica secondaria
Bassa dispersione in ingresso e in uscita
Bassa capacità d'ingresso
Velocità elevata di commutazione
Bassa resistenza all'accensione
Privi di scarica secondaria
Bassa dispersione in ingresso e in uscita
Applicazioni
Interruttori normalmente attivi
Relè a stato solido
Convertitori
Amplificatori lineari
Sorgenti di corrente costante
Circuiti di alimentazione
Telecomunicazioni
Relè a stato solido
Convertitori
Amplificatori lineari
Sorgenti di corrente costante
Circuiti di alimentazione
Telecomunicazioni
Il transistor (normalmente attivo) in modalità di impoverimento a canale N Microchip DN3545 utilizza una Advanced Vertical DMOS Structure e un consolidato processo di produzione di gate di silicio. Questa combinazione produce un dispositivo con le funzionalità di gestione dell'alimentazione dei transistor bipolari, con alta impedenza di ingresso e coefficiente di temperatura positivo intrinseco nei dispositivi MOS. Come tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di instabilità termica e di scarica secondaria indotta termicamente. I DMOS FET verticali sono ideali per un'ampia gamma di applicazioni di commutazione e amplificazione che richiedono un'elevata tensione di scarica distruttiva, unalta impedenza di ingresso, una bassa capacità di ingresso e rapide velocità di commutazione. È dotato di tensione drain-source e drain-to-gate di 450V e di resistenza statica drain-source in stato attivo di 1 35Ω.
Elevata impedenza di ingresso
Bassa capacità di ingresso
Elevata velocità di commutazione
Bassa resistenza in stato attivo
Privo di scarica secondaria
Bassa dispersione in ingresso e in uscita
Esente da piombo (Pb)
Contenitore TO-92 a 3 conduttori
Bassa capacità di ingresso
Elevata velocità di commutazione
Bassa resistenza in stato attivo
Privo di scarica secondaria
Bassa dispersione in ingresso e in uscita
Esente da piombo (Pb)
Contenitore TO-92 a 3 conduttori
Transistor MOSFET, Microchip
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di canale | N |
Corrente massima continuativa di drain | 130 mA |
Tensione massima drain source | 450 V |
Tipo di package | TO-92 |
Tipo di montaggio | Su foro |
Numero pin | 3 |
Resistenza massima drain source | 20 Ω |
Modalità del canale | Depletion |
Tensione di soglia gate massima | 3.5V |
Dissipazione di potenza massima | 740 mW |
Configurazione transistor | Singolo |
Tensione massima gate source | -20 V, +20 V |
Numero di elementi per chip | 1 |
Materiale del transistor | Si |
Larghezza | 4.19mm |
Lunghezza | 5.2mm |
Massima temperatura operativa | +150 °C |
Altezza | 5.33mm |
Minima temperatura operativa | -55 °C |
- Codice RS:
- 829-3358
- Codice costruttore:
- DN3545N3-G
- Costruttore:
- Microchip