MOSFET onsemi, canale N, 375 mΩ, 5,6 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 864-8732
Codice costruttore:: FDT1600N10ALZ
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 375 mΩ, 5,6 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 864-8732
Codice costruttore:: FDT1600N10ALZ
Costruttore:: onsemi

FDT1600N10ALZ, N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 5.6A, 160mOhm
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	5,6 A
Tensione massima drain source	100 V
Serie	PowerTrench
Tipo di package	SOT-223
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	375 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1.4V
Dissipazione di potenza massima	10,42 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	3.7mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	6.7mm
Carica gate tipica @ Vgs	2,9 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Altezza	1.7mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, 375 mΩ, 5,6 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N PowerTrench® fino a 9,9A, Fairchild Semiconductor

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